连续结晶器根据管控结晶体动力学模型、热学及流体动力学标准，可以实现结晶粒度分析的控制。以下属于实际控制方法及方式方法：
一、过饱和度操纵：粒度分析的核心驱动力
过饱和度是结晶形核与生长立即推动力，其大小直接关系粒度分析。
分级控制对策
高过饱和度区：在连铸结晶器通道或初期设定高过饱和度地区，推动少许能量源快速形成，为下一步晶体材料给予“种籽”。
低过饱和度区：在连铸结晶器行为主体地区保持低过饱和度，抑止新能量源产生，使目前结晶根据融解-加工硬化体制（Ostwald熟成）渐渐长大，降低细晶总数。
运用线上粒度分析仪（如FBRM、PVM）实时检测结晶粒度分析，融合过饱和度感应器（如电导仪、折射仪）意见反馈数据信息，动态管理入料总流量、蒸发速率或冷却速率，保持总体目标过饱和度范畴。
二、结晶温度与停留的时间提升：管控结晶生长速度
温度和停留的时间是决定晶体材料速率的关键参数，应根据总体目标粒度分析进行改善。
温度场设计方案
持续高温段：在连铸结晶器通道或初期设定较高温环境，提升溶液溶解性，减少过饱和度，抑止能量源产生，同时促进结晶快速生长。比如，在能源化工盐硝分离出来中，持续高温段（100℃）优先选择结晶体硝酸钠，通过调节温度场防止氧化钠提早进行析出。
超低温段：在连铸结晶器出入口或后面环节快速降温，进一步降低溶液溶解性，使结晶迟缓生长发育至总体目标粒度分布。
停留的时间遍布（RTD）操纵
通过调节连铸结晶器构造（如导流筒长短、折流隔板视角）或操作主要参数（如拌和转速比、循环系统总流量），提升物料连铸结晶器里的停留的时间遍布，降低短循环系统状况，确保结晶亲身经历相近的生长发育过程。
三、拌和与势流管控：抑止细晶形成，推动粒度分级
搅拌强度与势流遍布直接关系结晶撞击、粉碎及汇聚个人行为，应通过势流提升完成粒度分级。
拌和转速比分级控制
高速旋转区：在连铸结晶器通道或初期设定高拌和转速比，加强传热与混和，推动能量源迅速分散化，防止部分过饱和度太高。
低转速区：在连续结晶器行为主体地区减少拌和转速比，降低结晶撞击粉碎，并利用离心沉降完成粒度分级。颗粒随水解液循环系统。
势流仿真模拟和优化
运用计算流体力学（CFD）仿真模拟连铸结晶器内势流遍布，鉴别过流保护或短循环系统地区，通过调整导流筒构造、搅拌桨位置或循环水泵总流量，完成均匀流场。
四、添加物与晶种技术性：定向调控结晶外貌与粒度分布
添加物与晶种可通过调节晶体表面特性或者提供生长发育模版，完成粒度分析的定向调控。
添加物选取与浓度控制
晶体结构操纵剂：加上特殊表活剂或高聚物，更改晶体表面能，抑止细晶形成或推动粗颗粒晶体材料。
增稠剂：加上低含量聚丙烯酸（PAA）或六偏磷酸钠（SHMP），避免结晶过多汇聚，保持粒度分析窄。
晶种加上对策
预核化晶种：在结晶体前期添加和目标物质晶体结构相匹配的晶种，给予生长发育模版，抑止新能量源产生，推动结晶定项生长发育。比如，在能源化工盐硝分离出来中，通过添加预核化硝酸钠晶种（粒度分布50-100μm），可以减少细晶占比，提升产品纯净度。
动态性晶种添加：依据线上粒度分布数据信息，动态管理晶种用量与工作频率，保持连铸结晶器内晶种浓度值平稳，防止晶种过多或不足导致的粒度分析偏位。
五、多级别结晶体与藕合加工工艺：完成粒度分析等级分类
根据多级别结晶体或与其他加工工艺藕合，可进一步优化粒度分析。
多级别结晶体串连
将各种工艺条件（如温度、过饱和度）的连铸结晶器串连，完成结晶粒度分级。
结晶体与膜分离技术藕合
融合纳滤膜或ro反渗透膜技术性，事先分离出来水溶液不一样正离子或分子结构，降低连续结晶器结晶过程中残渣影响，提升结晶纯净度与粒度均匀性。
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